阿布来提·阿布力孜-新疆大学物理科学与技术学院

阿布来提•阿布力孜教授
	出生年月：	1986年1月
	籍贵：	新疆
	民族：	维吾尔族
	学历学位：	博士研究生、理学博士
	职称：	教授、博导
	研究方向：	半导体物理与微电子器件
	招生专业：	物理学（凝聚态物理）微电子学
	Email：	ablatabliz@whu.edu.cn; ablatabliz@xju.edu.cn
	联系地址：	新疆乌鲁木齐市水磨沟区华瑞街777号，830017
阿布来提·阿布力孜，男，维吾尔族，中共党员，理学博士，教授，博士研究生导师。2017年6月在武汉大学获凝聚态物理理学博士学位。2017年7月进入新疆大学物理科学与技术学院任教，主要研究方向是高性能薄膜晶体管及其相关问题研究，重点研究氧化物薄膜晶体管以及晶体管在平板显示器中的应用。主持国家自然科学基金，自治区自然基金项目等多项。从事科研工作以来在ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction Electron Devices, Applied Surface Science, Journal of Physics D: Applied Physics 等专业学术期刊上已发表SCI学术论文30篇，国家发明专利3项。从参加工作以来，先后承担本科生大学物理实验、大学物理和研究生半导体物理等课程的教学。

承担主要科研项目：
[1] 科技部重大专项 (国际合作) 项目子课题，2023.4-2026.3，负责人，在研；
[3] 自治区自然科学基金面上项目，2022.12-2025.12，负责人，在研；
[4] 国家自然科学基金地区项目，2021.1-2024.12，负责人，已结题；
[5] 国家自然科学基金青年项目，2019.1-2021.12，负责人，已结题；
[6] 自治区自然科学基金青年项目，2018.7-2021.6，负责人，已结题；
[9] 新疆大学博士启动基金，2019.1-2020.12，负责人，已结题；
[10] 自治区计量测试研究院，2021.1-2021.12，项目负责人，已结题。
*发表主要学术论文（注：加号为通讯作者）**
[1]Xiaocheng Ma, Ablat Abliz, Effects of Different Contents Yttrium Doping on the Electrical Performance and Stability of Bilayer IZO/IYZO Thin-Film Transistors, Applied Physics Letters, 126 (2025*) 143506.
[2]Muhpul Alip, Ablat Abliz, Design of High-Performance Dual Channel Layered InGaZnO Thin-Film Transistors With Different Indium Contents, IEEE Transactions on Electron Devices, 72 (2025*) 1802-1808.
[3]Nurmamat Patigul, Rui Li, Linyu Yang, Mamatrishat Mamat, Ablat Abliz, Effects of N2O plasma treatment on the performance and stability of high indium content InGaZnO thin-film transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 58 (2025**) 085308.
[4]Maohang Zheng, Ablat Abliz, Design of different oxygen content and high performance bilayer In2O3 thin-film transistors at room temperature for flexible electronics, Applied Surface Science, 681 (2025*) 161510.
[5]Zhenyu Han, Ablat Abliz, Investigation of the electrical performance and carrier transport mechanism for heterostructured bilayer In2O3/InGaSnO thin-film transistors, Applied Physics Letters, 125 (2024*) 233502.
[6]Patigul Nurmamat, Ablat Abliz, Rational Design of Different Ga Content Bilayer InGaZnO Thin-Film Transistors With Al2O3/HfO2 Passivation Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 71 (2024*) 3032-3038.
[7]Zhenyu Han, Jiajun Han, Ablat Abliz, Enhanced electrical performance of InGaSnO thin-film transistors by designing a dual-active-layer structure”, Applied Surface Science, 648 (2024*) 158995.
[8]Jiajun Han, Qingfeng He, Ablat Abliz, Fabrication and investigation of the electrical performance of nitrogenated bilayer ZnO:N/ZnO thin-film transistors, Chinese Journal of Physics, 85 (2023*) 318-325.
[9]Jiajun Han , Ablat Abliz, Da Wan, Impact of hydrogen plasma treatment on the electrical performances of ZnO thin-film transistors, Chinese Journal of Physics, 77 (2022)327-334.
[10]Ablat Abliz, Patigul Nurmamat, Da Wan,Rational design of oxide heterostructure InGaZnO/TiO2 for high-performance thin-film transistors, Applied Surface Science, 609 (2023) 155257.
[11]Ablat Abliz, X. Xue, X. Liu, G. Li, L. Tang, Rational design of hydrogen and nitrogen co-doped ZnO for high performance thin-film transistors, Applied Physics Letters, 118 ( 2021) 123504.
[12]Ablat Abliz, Hydrogenation of Mg-Doped InGaZnO Thin-Film Transistors for Enhanced Electrical Performance and Stability, IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021*) 3379-3383.
[13]Ablat Abliz, A. Rusul, H. Duan, A. Maimaiti, L. Yang, M. Zhang, Z. Yang “Investigation of the electrical properties and stability of HfInZnO thin-film transistors”, Chinese Journal of Physics, 68 (2020) 788-795.
[14]Ablat Abliz, D. Wan, H. Duana, L. Xu, Low-frequency noise in high performances and stability of Li-doped ZnO thin-film transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 53 (2020) 415110.
[15]Ablat Abliz, Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical performances and reliability of InGaZnO thin-film transistors, Journal of Alloys and Compounds, 831 (2020*) 154694.
[16]Ablat Abliz, L. Xu, H. Duan, J. Wang, S. Luo, C. Liu, Effects of yttrium doping on the electrical performances and stability of ZnO thin-film transistors, Applied Surface Science, 475 (2019) 565-570.
[17]Ablat Abliz, D. Wan, L. Xu, H. Duan, Investigation on the electrical performances and stability of W-doped ZnO thin-film transistors, Materials Science in Semiconductor Processing, 95 (2019) 54-58.
[18]Ablat Abliz, D. Wan, Y. Yang, H. Duan, L. Liao, Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 2844-2849.
[19]Ablat Abliz, Q. Gao, D. Wan, X. Liu, L. Xu, L. Liao, Effects of nitrogen and hydrogen co-doping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017*) 10798-10804.
[20]Ablat Abliz, C.-W. Huang, J. Wang, L. Xu, L. Liao, Rational design of ZnO:H/ZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016*) 7862-7868.
[21]Ablat Abliz, J. Wang, L. Xu, D. Wan, L. Liao, Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnO:H layer, Applied Physics Letters,108 (2016*) 213501.
教学研究
[1]阿布来提·阿布力孜，阿合买提江·买买提，杨氏模量教学实验的改进，大学物理实验，2021*, 34 (3): 31-35.
[2]阿布来提·阿布力孜，大学物理实验教学改革与探索，科教导刊，2021*, 1 (2): 144-145.
[3]阿布来提·阿布力孜，大学物理教学中强化创新素质与能力的培养，教育现代化，2020*, 7 (65): 138-141.
主要获奖情况
[1] 2024入选全球前2%顶尖科学家“2024年度科学影响力排行榜”；
[5] 2017年，武汉大学“博士研究生学术创新奖”二等奖；
[6] 2016年，武汉大学博士研究生国家奖学金；